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TND306	文件：20.2 Kbytes Page：2 Pages	High-Speed CMOS Product Designation Definitions HC vs. HCT ON Semiconductor’s High–Speed CMOS product family, intended to give the designer an alternative to LSTTL. HSCMOS, with the faster speed advantage over metal–gate CMOS (MC14000 series) and the lower power consumption advantage over LSTTL, is an optimum choice for midrange designs. With 文件：20.2 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
TND306	文件：300 bytes Page：1 Pages	High-Speed CMOS Product Designation Definitions	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
TND306S	文件：52.33 Kbytes Page：4 Pages	TND306S Features ? Inverter buffer. ? Monolithic structure(High voltage CMOS process adopted). ? Withstand voltage of 25V is assured. ? Wide range of operating voltage : 4.5V to 25V. ? Peak outpout current : 1A. ? Fast switching time(30ns typical at 1000pF load). ? Fully compatible input to TTL/CMO 文件：52.33 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
TND306S	文件：300 bytes Page：1 Pages	TND306S	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI

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更多TND306供應(yīng)商更新時間2026-1-21 15:42:00