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TK80E06K3A	文件：241.38 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ?? Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.8 m? (typ.) (2) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V) (3) Enhancement mode: Vth = 3.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Applications ? Switching Voltage Regulators 文件：241.38 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
TK80E06K3A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch single 30V VDSS 60V) Application Scope：Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available Drain current ID 80 A \nPower Dissipation PD 125 W \nDrain-Source voltage VDSS 60 V ;	Toshiba 東芝	Toshiba
TK80E08K3	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220	TOSHIBA/東芝上傳：深圳龐田科技有限公司	TOSHIBA/東芝
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