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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
TK4A60DA	文件：206.39 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications ? Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.7 ? (typ.) ? High forward transfer admittance: ?Yfs? = 2.2 S (typ.) ? Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 600 V) ? Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：206.39 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
TK4A60DA	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 頁數(shù)：73 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
TK4A60DA	文件：319.42 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=3.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =2.2Ω(Max) DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：319.42 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
TK4A60DA5	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 頁數(shù)：73 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
TK4A60DA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Application Scope：Notebook PCs\nPolarity：N-ch\nGeneration：π-MOSⅦ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中國 / 馬來西亞 Drain current ID 3.5 A \nPower Dissipation PD 35 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ;	Toshiba 東芝	Toshiba
TK4A60DA5	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Application Scope：Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：π-MOSⅦ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：馬來西亞 Drain current ID 3.5 A \nPower Dissipation PD 35 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V ;	Toshiba 東芝	Toshiba

技術(shù)參數(shù)

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
600
VGSS(V)：
+/-30
ID(A)：
3.5
PD(W)：
35
Ciss(pF)：
490
Qg(nC)：
11
=10V：
2.2
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name(Toshiba)：
TO-220SIS
Generation：
π-MOSⅦ
Width×Length×Height(mm)：
10.0 x 15.0 x 4.5
Package Size(mm^2)：
150.00
Drive voltage type：
10V Gate Drive

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多TK4A60DA供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 9:12:00

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