| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
TK31E60W | Switching Voltage Regulators 文件：263.34 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages | TOSHIBA 東芝 | TOSHIBA | |
TK31E60W | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.31 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | |
TK31E60W | Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Polarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中國 Drain current ID 30.8 A \nPower Dissipation PD 230 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ; | Toshiba 東芝 | Toshiba | |
MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications ? Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.073 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) High-speed switching properties with lower capacitance. (3) Enhancement mode: Vth = 2.5 to 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.5 mA) 文件：246.14 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages | TOSHIBA 東芝 | TOSHIBA |
技術參數(shù)
- Polarity：
N-ch
- VDSS(V)：
600
- VGSS(V)：
+/-30
- ID(A)：
30.8
- PD(W)：
230
- Ciss(pF)：
3000
- Qg(nC)：
86
- =10V：
0.088
- Number of pins：
3
- Surface mount package：
N
- Package name(Toshiba)：
TO-220
- Generation：
DTMOSⅣ
- Width×Length×Height(mm)：
10.16 x 15.1 x 4.45
- Package Size(mm^2)：
153.42
- Drive voltage type：
10V Gate Drive
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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TO-220 |
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原裝正品 |
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