| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
TK18E10K3 | Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 頁數(shù)：73 Pages | TOSHIBA 東芝 | TOSHIBA | |
TK18E10K3 | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.44 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | |
TK18E10K3 | N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：942.05 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | DOINGTER 杜因特 | DOINGTER | |
TK18E10K3 | Power MOSFET (N-ch single 60V VDSS 150V) Application Scope：Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中國\n Drain current ID 18 A \nPower Dissipation PD 71 W \nDrain-Source voltage VDSS 100 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V \n; | Toshiba 東芝 | Toshiba | |
Package：TO-220-3；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 描述：MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3 | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage |
詳細參數(shù)
- 型號：
TK18E10K3
- 功能描述：
MOSFET N-Ch MOS 18A 100V 71W 0.042 Ohm
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
25+23+ |
TO220 |
33213 |
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TOSHIBA/東芝 |
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TOSHIBA/東芝 |
21+ |
TO220 |
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TOSHIBA |
23+ |
TO-220 |
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
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TOSHIBA/東芝 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
TOSHIBA/東芝 |
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TO-220 |
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TOSHIBA/東芝 |
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TO220 |
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TOSHIBA |
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TO-220 |
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TOSHIBA |
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Toshiba |
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