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首頁 >TK16A60W>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
TK16A60W	文件：1.11116 Mbytes Page：10 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOSIV) Applications Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: Rpg(on) = 0.16 Q (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement mode: Vi, = 2.7t0 3.7V (Vpg = 10V, Ip = 0.79 mA) 文件：1.11116 Mbytes 頁數(shù)：10 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
TK16A60W	文件：289.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：289.43 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
TK16A60W	文件：246.23 Kbytes Page：10 Pages	Switching Voltage Regulators 文件：246.23 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
TK16A60W,S4VXM	文件：1.11116 Mbytes Page：10 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOSIV) Applications Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: Rpg(on) = 0.16 Q (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement mode: Vi, = 2.7t0 3.7V (Vpg = 10V, Ip = 0.79 mA) 文件：1.11116 Mbytes 頁數(shù)：10 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
TK16A60W_V01	文件：1.11116 Mbytes Page：10 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOSIV) Applications Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: Rpg(on) = 0.16 Q (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement mode: Vi, = 2.7t0 3.7V (Vpg = 10V, Ip = 0.79 mA) 文件：1.11116 Mbytes 頁數(shù)：10 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
TK16A60W5	文件：248.31 Kbytes Page：10 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/k16a60w5/marking.html">K16A60W5；Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications ? Switching Voltage Regulators Features (1) Fast reverse recovery time: trr = 100 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.18 Ω (typ.) by using Super Junction Structure : DTMOS (3) Easy to control Gate switching (4) Enhancement mode: Vth = 3.0 to 4.5 V (VDS = 文件：248.31 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
TK16A60W5	文件：289.45 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：289.45 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
TK16A60W5	文件：1.15811 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET 文件：1.15811 Mbytes 頁數(shù)：11 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
TK16A60W	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Polarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中國 / 馬來西亞 Drain current ID 15.8 A \nPower Dissipation PD 40 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ;	Toshiba 東芝	Toshiba
TK16A60W5	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Polarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：馬來西亞 Drain current ID 15.8 A \nPower Dissipation PD 40 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ;	Toshiba 東芝	Toshiba

技術(shù)參數(shù)

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
600
VGSS(V)：
+/-30
ID(A)：
15.8
PD(W)：
40
Ciss(pF)：
1350
Qg(nC)：
38
=10V：
0.19
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name(Toshiba)：
TO-220SIS
Generation：
DTMOSⅣ
Width×Length×Height(mm)：
10.0 x 15.0 x 4.5
Package Size(mm^2)：
150.00
Drive voltage type：
10V Gate Drive

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市譽(yù)誠盛世科技有限公司	TK16A60W	TOSHIBA	17+	TO220F	100000	原裝現(xiàn)貨本公司只賣原裝貨	詢價(jià)
深圳龐田科技有限公司	TK16A60W	TOSHIBA/東芝	2023+	TO-220	950	專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)等方案配套一站式服務(wù)	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	TK16A60W	TOSHIBA	2540+	TO-220F	9854	只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!	詢價(jià)
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深圳市拓億芯電子有限公司	TK16A60W	TOSHIBA/東芝	25+	TO-220F	9000	只做進(jìn)口原裝假一罰百	詢價(jià)
深圳市益百分電子有限公司	TK16A60W	TOSHIBA/東芝	19+	TO-220F	7100		詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	TK16A60W	TOSHIBA	17+	TO-220SIS	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	TK16A60W	TOSHIBA	24+	TO-220F	5000	原廠/代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	TK16A60W	TOSHIBA	25+23+	NA	25050	絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳誠思涵科技有限公司	TK16A60W	TOSHIBA	18+	TO-220F	85600	保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票	詢價(jià)

更多TK16A60W供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-17 10:01:00

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