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    TK14A65W
    isc N-Channel MOSFET Transistor
    
FEATURES
·Drain Current –ID=17A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage-
: VDSS= 650V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 210mΩ(Max) @ VGS= 10V
·100 avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
DESCRIPTION
·Designed for use in
    文件：351.55 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages
    ISC
    無錫固電
    

    TK14A65W
    MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)
    文件：243.42 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages
    TOSHIBA
    東芝
    

    TK14A65W
    iscN-Channel MOSFET Transistor
    文件：289.23 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages
    ISC
    無錫固電
    

    TK14A65W5
    絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/k14a65w5/marking.html">K14A65W5；Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-Channel MOS
    
Applications
? Switching Voltage Regulators

Features
(1) Fast reverse recovery time: trr = 100 ns (typ.)
(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.25 Ω (typ.)
by using Super Junction Structure : DTMOS
(3) Easy to control Gate switching
(4) Enhancement mode: Vth = 3 to 4.5 V (VDS = 1
    文件：239.32 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages
    TOSHIBA
    東芝
    

    TK14A65W5
    iscN-Channel MOSFET Transistor
    文件：289.23 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages
    ISC
    無錫固電
    

    TK14A65W
    Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V)
    Application Scope：Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中國 / 馬來西亞  Drain current  ID 13.7 A \nPower Dissipation  PD 40 W \nDrain-Source voltage  VDSS 650 V \nGate-Source voltage  VGSS +/-30 V ;
    Toshiba
    東芝
    

    TK14A65W5
    Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V)
    Application Scope：Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：馬來西亞  Drain current  ID 13.7 A \nPower Dissipation  PD 40 W \nDrain-Source voltage  VDSS 650 V \nGate-Source voltage  VGSS +/-30 V ;
    Toshiba
    東芝
    

    
            
    
		
        
    
            
    
                
    技術(shù)參數(shù)
    
            
    
            
      
            	
    • Polarity：
      N-ch
    • VDSS(V)：
      650
    • VGSS(V)：
      +/-30
    • ID(A)：
      13.7
    • PD(W)：
      40
    • Ciss(pF)：
      1300
    • Qg(nC)：
      35
    • =10V：
      0.25
    • Number of pins：
      3
    • Surface mount package：
      N
    • Package name(Toshiba)：
      TO-220SIS
    • Generation：
      DTMOSⅣ
    • Width×Length×Height(mm)：
      10.0 x 15.0 x 4.5
    • Package Size(mm^2)：
      150.00
    • Drive voltage type：
      10V Gate Drive
    
            
    
        
    
            
    供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
    
                
    



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    TOSHIBA/東芝
    		

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    TOSHIBA/東芝
    		

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    TOSHIBA
    		

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            更新時間2026-1-22 12:13:00
        
    
        
    
          
    
            
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