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首頁 >TK10A60W>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
TK10A60W	文件：246.69 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS?? Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.327 ? (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement mode: Vth = 2.7 to 3.7 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA) Applications ? Switching Voltage Regulators 文件：246.69 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
TK10A60W	文件：289.38 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor ? DESCRITION ? Switching Voltage Regulators ? FEATURES ? Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.38? ? Easy to control Gate switching ? Enhancement mode: Vth = 2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=0.5 mA) ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance an 文件：289.38 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
TK10A60W	文件：1.07069 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：1.07069 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
TK10A60W5	文件：242.38 Kbytes Page：10 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/k10a60w5/marking.html">K10A60W5；Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications ? Switching Voltage Regulators Features (1) Fast reverse recovery time: trr = 85 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.35 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (3) Easy to control Gate switching (4) Enhancement mode: Vth = 3 to 4.5 V (VDS = 文件：242.38 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
TK10A60W5	文件：289.41 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：289.41 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
TK10A60W	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Polarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中國(guó) / 馬來西亞 Drain current ID 9.7 A \nPower Dissipation PD 30 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ;	Toshiba 東芝	Toshiba
TK10A60W5	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Application Scope：Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：馬來西亞 Drain current ID 9.7 A \nPower Dissipation PD 30 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ;	Toshiba 東芝	Toshiba

技術(shù)參數(shù)

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
600
VGSS(V)：
+/-30
ID(A)：
9.7
PD(W)：
30
Ciss(pF)：
700
Qg(nC)：
20
=10V：
0.38
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name(Toshiba)：
TO-220SIS
Generation：
DTMOSⅣ
Width×Length×Height(mm)：
10.0 x 15.0 x 4.5
Package Size(mm^2)：
150.00
Drive voltage type：
10V Gate Drive

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市壹芯創(chuàng)科技有限公司	TK10A60W	Toshiba	24+	TO-220SIS	21000	公司只做原裝正品!現(xiàn)貨庫存!可隨時(shí)看貨!	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	TK10A60W	TOSHIBA/東芝	2021+	TO-220F	9000	原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià)	詢價(jià)
深圳市益百分電子有限公司	TK10A60W	TOSHIBA/東芝	1644+	TO-220F	63		詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	TK10A60W	TOS	17+	TO-220F	6200		詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	TK10A60W	TOSHIBA	25+	TO-220F	2000	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價(jià)
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千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	TK10A60W	TOSHIBA	24+	TO-220F	2500	原廠/代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
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中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	TK10A60W	TOSHIBA/東芝	20+	TO-220F	38560	原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
上海市鑫鴻達(dá)電子	TK10A60W	TOSHIBA/東芝	2022+		100	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)

更多TK10A60W供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 16:10:00

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