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    TIC225N

    SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR

    DESCRIPTION This device is a bidirectional triode thyristor (triac) which may be triggered from the off-state to the on-state by either polarityof gate signal with main Terminal 2 at either polarity. ? Sensitive gate triacs ? 8 A RMS ? 70 A Peak ? Glass Passivated Wafer ? 100

    文件:211.76 Kbytes 頁(yè)數(shù):3 Pages

    COMSET

    TIC225N

    SILICON TRIACS

    SILICON TRIACS ● Sensitive Gate Triacs ● 8 A RMS, 70 A Peak ● Glass Passivated Wafer ● 400 V to 800 V Off-State Voltage ● Max IGT of 5 mA (Quadrant 1)

    文件:150.5 Kbytes 頁(yè)數(shù):6 Pages

    POINN

    TIC225N

    SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR

    文件:164.75 Kbytes 頁(yè)數(shù):4 Pages

    COMSET

    TIC225N

    Thyristor

    Comset

    TIC225N-S

    TRIAC SENS GATE 800V 8A TO220

    Bourns

    伯恩斯

    TIC225N-S

    Package:TO-220-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶閘管 - TRIAC 描述:TRIAC SENS GATE 800V 8A TO220

    Bourns Inc.

    Bourns Inc.

    晶體管資料

    • 型號(hào):

      TIC225N

    • 別名:

      三極管、晶體管、晶體三極管

    • 生產(chǎn)廠家:

    • 制作材料:

      Triac

    • 性質(zhì):

    • 封裝形式:

      直插封裝

    • 極限工作電壓:

      800V

    • 最大電流允許值:

      8A

    • 最大工作頻率:

      <1MHZ或未知

    • 引腳數(shù):

      3

    • 可代換的型號(hào):

      TAG227-800,

    • 最大耗散功率:

    • 放大倍數(shù):

    • 圖片代號(hào):

      B-10

    • vtest:

      800

    • htest:

      999900

    • atest:

      8

    • wtest:

      0

    技術(shù)參數(shù)

    • 電壓 - 斷態(tài):

      800V

    • 電流 - 通態(tài)(It(RMS))(最大值):

      8A

    • 電壓 - 柵極觸發(fā)(Vgt)(最大值):

      2V

    • 電流 - 不重復(fù)浪涌 50,60Hz(Itsm):

      70A @ 50Hz

    • 電流 - 柵極觸發(fā)(Igt)(最大值):

      5mA

    • 電流 - 保持(Ih)(最大值):

      20mA

    • 配置:

      單一

    • 工作溫度:

      -40°C ~ 110°C(TC)

    • 安裝類型:

      通孔

    • 封裝/外殼:

      TO-220-3

    • 供應(yīng)商器件封裝:

      TO-220

    供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
    TI
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    更多TIC225N供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-22 10:25:00

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