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TFD190P03M	文件：1.96378 Mbytes Page：5 Pages	絲?。?strong>TFD190P03M；Package：PDFN3333-8L；P -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET ● General Description The TFD190P03M combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provideextremely low RDS(ON). Two P Channel MOSFET inside for dual DIE implication. ● Features Advance high cell densityTrench technology Low RDS(ON) to minimize conductive loss 文件：1.96378 Mbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	TUOFENG 拓鋒半導(dǎo)體	TUOFENG
TFD190P03M	文件：1.96378 Mbytes Page：5 Pages	絲印：TFD190P03M；Package：PDFN3333-8L；P -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET ● General Description The TFD190P03M combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provideextremely low RDS(ON). Two P Channel MOSFET inside for dual DIE implication. ● Features Advance high cell densityTrench technology Low RDS(ON) to minimize conductive loss 文件：1.96378 Mbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	TUOFENG 拓鋒半導(dǎo)體	TUOFENG

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更多TFD190P03M供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 11:06:00