航空航天用四通道單刀單擲 JFET模擬開(kāi)關(guān)

SW201內(nèi)置4個(gè)可以獨(dú)立進(jìn)行數(shù)字控制的單刀單擲(SPST)模擬開(kāi)關(guān)。當(dāng)相應(yīng)的輸入為0時(shí)，各開(kāi)關(guān)常閉(NC)。\n\n 該器件在單芯片IC上集成了雙極性和FET元件，因此其性能和耐用性?xún)?yōu)于采用CMOS技術(shù)制造的類(lèi)似電路。\n\n 增強(qiáng)的可靠性與出色的電氣規(guī)格相輔相成。通過(guò)降低導(dǎo)通電阻并控制高溫時(shí)的漏電流，潛在誤差源得以減少。在20V模擬信號(hào)范圍內(nèi)，開(kāi)關(guān)FET的導(dǎo)通電阻隨電源電壓的變化極小。可以采用單個(gè)正電源電壓工作。當(dāng)V+=36V、V-=0V時(shí)，模擬信號(hào)范圍為地電壓至+32V。\n\n PNP邏輯輸入為T(mén)TL和CMOS兼容型。邏輯輸入電流僅數(shù)微安，可改善電路扇形輸 ? 常開(kāi)式開(kāi)關(guān)（邏輯0輸入） \n\n? 極高的耐靜電放電能力\n\n? 保證先開(kāi)后合式開(kāi)關(guān)動(dòng)作：\ntOFF 小于 tON\n\n? 低導(dǎo)通電阻：80 Ω（最大值）\n\n? 保證導(dǎo)通電阻匹配：15%（最大值）\n\n\n\n? 導(dǎo)通電阻隨模擬輸入電壓的變化極?。?% \n\n? 高模擬電流工作方式：10mA（最小值）\n\n? 高溫時(shí)漏電流極低\n\n? 保證開(kāi)關(guān)速度：\ntON=500ns（最大值），tOFF=400ns（最大值）\n\n? 數(shù)字輸入為T(mén)TL和CMOS兼容\n\n? 雙電源或單電源供電;

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亞德諾

HOUSING 2.0mm CC, 1 ROW

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