平面高壓MOS功率管

SVF4N65F/M/MJ/D? N溝道增強型高壓功率MOS場效應(yīng)晶體管采用士蘭微電子的F-CellTM平面高壓VDMOS 工藝技術(shù)制造。先進的工藝及元胞結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。\n\n 該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于AC-DC開關(guān)電源，DC-DC電源轉(zhuǎn)換器，高壓H橋PWM馬達驅(qū)動。 ? 4A，650V，RDS(on)（典型值）=2.3Ω@VGS=10V\n? 低柵極電荷量\n? 低反向傳輸電容\n? 開關(guān)速度快\n? 提升了dv/dt 能力;

Silan

士蘭微

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半導(dǎo)體