平面高壓MOS功率管

SVF2N80F/D/NF/M N溝道增強型高壓功率MOS場效應晶體管采用士蘭微電子F-CellTM平面高壓VDMOS 工藝技術(shù)制造。先進的工藝及條狀的原胞設計結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。\n\n 該產(chǎn)品可廣泛應用于AC-DC開關(guān)電源，DC-DC電源轉(zhuǎn)換器，高壓H橋PWM馬達驅(qū)動。 ? 2A，800V，RDS(on)(典型值)=4.4Ω@VGS=10V\n? 低柵極電荷量\n? 低反向傳輸電容\n? 開關(guān)速度快\n? 提升了dv/dt 能力;

Silan

士蘭微

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：1.37539 Mbytes 頁數(shù)：5 Pages

DOINGTER

杜因特

Power MOSFET

文件：2.12055 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages

VBSEMI

微碧半導體

2 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

文件：170.28 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages

UTC

友順

Drain Current ID= 2.4A@ TC=25C

文件：68.07 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages

ISC

無錫固電

2A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件：235.68 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages

UTC

友順