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SVF2N65D	文件：300 bytes Page：1 Pages	F-CellTM系列高壓MOSFET SVF2N65F/MJ/D ?N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場效應(yīng)晶體管采用士蘭微電子F-CellTM平面高壓VDMOS 工藝技術(shù)制造。先進(jìn)的工藝及元胞結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。\n\n 該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于AC-DC開關(guān)電源，DC-DC電源轉(zhuǎn)換器，高壓H橋PWM馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。 ? 2A，650V，RDS(on)(典型值)=4.3Ω@VGS=10V\n? 低柵極電荷量\n? 低反向傳輸電容\n? 開關(guān)速度快\n? 提升了dv/dt 能力;	Silan 士蘭微	Silan
SVF2N65D	文件：1.08794 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08794 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
SW2N65	文件：755.53 Kbytes Page：7 Pages	N-channel MOSFET 文件：755.53 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	SEMIPOWER 芯派科技	SEMIPOWER
SW2N65D	文件：649.64 Kbytes Page：6 Pages	N-channel Enhanced mode TO-220FMOSFET 文件：649.64 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	SEMIPOWER 芯派科技	SEMIPOWER
SW2N65K	文件：805.25 Kbytes Page：6 Pages	N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-252 MOSFET 文件：805.25 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	SEMIPOWER 芯派科技	SEMIPOWER

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更多SVF2N65D供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 18:42:00