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STUD10N10	文件：125.07 Kbytes Page：10 Pages	Super high dense cell design for low RDS(ON). 文件：125.07 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	SAMHOP 三合微科	SAMHOP
STUD10N10	文件：300 bytes Page：1 Pages	Super high dense cell design for low RDS(ON).	Samhop 三合微科	Samhop
TSJ10N10AT	文件：791.93 Kbytes Page：7 Pages	100V N-Channel DTMOS 文件：791.93 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	WUMC 紫光國微	WUMC
UTT10N10	文件：136.17 Kbytes Page：3 Pages	10A, 100V N-CHANNEL MOSFET ■ DESCRIPTION The UTC UTT10N10 is a N-channel enhancement mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide the customers with a minimum on-state resistance, high switching speed and ultra low gate charge. It also can withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. 文件：136.17 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	UTC 友順	UTC
WSP10N10	文件：1.20165 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.20165 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER

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更多STUD10N10供應(yīng)商更新時間2026-1-21 10:12:00