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STPSC806 | 600 V power Schottky silicon carbide diode 文件:93.87 Kbytes 頁數(shù):7 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體 | STMICROELECTRONICS | |
STPSC806 | 600 V power Schottky silicon carbide diode 碳化硅(SiC)二極管是一款超高性能的功率肖特基二極管,是使用碳化硅基板制造的。寬帶隙材料可用于設(shè)計(jì)600V額定電壓的肖特基二極管。由于肖特基結(jié)構(gòu)的關(guān)系,關(guān)斷時(shí)不存在反向恢復(fù)現(xiàn)象,且振鈴模式幾乎可忽略。最小的容性關(guān)斷行為受溫度影響小。\n ST碳化硅(SiC)二極管能在硬開關(guān)條件下大幅提升PFC操作的性能。 ? 無反向恢復(fù),或反向恢復(fù)可忽略\n? 開關(guān)行為受溫度影響小? 特別適用于PFC升壓二極管功能; | ST 意法半導(dǎo)體 | ST | |
650 V power Schottky silicon carbide diode Features ?No or negligible reverse recovery ?Switching behavior independent oftemperature ?Dedicated to PFC applications ?High forward surge capability ?Operating Tj from -40 °C to 175 °C ?ECOPACK?2 compliant component Description The SiC diode is an ultra high performance power Schottky 文件:503.37 Kbytes 頁數(shù):9 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體 | STMICROELECTRONICS | ||
600 V power Schottky silicon carbide diode 文件:93.87 Kbytes 頁數(shù):7 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體 | STMICROELECTRONICS | ||
絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/psc8065dy/marking.html">PSC8065DY;Package:TO-220AC;Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode 文件:506.95 Kbytes 頁數(shù):9 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體 | STMICROELECTRONICS | ||
Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode 文件:506.95 Kbytes 頁數(shù):9 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體 | STMICROELECTRONICS | ||
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600 V power Schottky silicon carbide diode 文件:96.75 Kbytes 頁數(shù):7 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體 | STMICROELECTRONICS | ||
650 V 碳化硅功率肖特基二極管 碳化硅(SiC)二極管是一款超高性能的功率肖特基二極管,是使用碳化硅基板制造的。寬帶隙材料可用于設(shè)計(jì)650V額定電壓的肖特基二極管。由于肖特基結(jié)構(gòu)的關(guān)系,關(guān)斷時(shí)不存在反向恢復(fù)現(xiàn)象,且振鈴模式幾乎可忽略。最小的容性關(guān)斷行為受溫度影響小。\n\n ST碳化硅(SiC)二極管特別適用于PFC應(yīng)用,可在硬開關(guān)條件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌電流能力可確保在瞬態(tài)期間提供良好的耐受性。 ? 無反向恢復(fù),或反向恢復(fù)可忽略 \n? 開關(guān)行為受溫度影響小 \n? 專為PFC應(yīng)用設(shè)計(jì) \n? 高耐正向浪涌電流能力 \n? 工作結(jié)溫,范圍從-40 °C 到 175 °C \n? ECOPACK?2 兼容組件; | ST 意法半導(dǎo)體 | ST | ||
Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode 碳化硅(SiC)二極管是一款超高性能的功率肖特基二極管,是使用碳化硅基板制造的。寬帶隙材料可用于設(shè)計(jì)650V額定電壓的肖特基二極管。由于肖特基結(jié)構(gòu)的關(guān)系,關(guān)斷時(shí)不存在反向恢復(fù)現(xiàn)象,且振鈴模式幾乎可忽略。最小的容性關(guān)斷行為受溫度影響小。\n ST碳化硅(SiC)二極管特別適用于PFC應(yīng)用,可在硬開關(guān)條件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌電流能力可確保在瞬態(tài)期間提供良好的耐受性。 ? 符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)\n? 無反向恢復(fù),或反向恢復(fù)可忽略\n? 開關(guān)行為受溫度影響小\n? 專為PFC應(yīng)用設(shè)計(jì)? 高耐正向浪涌電流能力\n? 具有PPAP功能(符合生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序)\n? 工作結(jié)溫,范圍從-40 °C 到 175 °C\n? ECOPACK?2 兼容組件; | ST 意法半導(dǎo)體 | ST |
技術(shù)參數(shù)
- Number of Diodes_spec:
1
- Marketing Status:
Active
- Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V):
650
- Average Rectified Current_max(A):
8
- VF_max(V):
1.45
- VF measure condition_spec(@ IF)(A):
8
- Reverse Current_max(mA):
0.105
- Total capacitive charge(nC):
28
- Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A):
46
- Junction Temperature_max(°C):
175
- General Description:
650 V power Schottky silicon carbide diode
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
22+ |
TO-263 |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價(jià) | ||
ST |
22+ |
TO-263 |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-263 |
94750 |
詢價(jià) | |||
ST |
25+ |
TO-263 |
35400 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價(jià) | ||
ST |
24+ |
原廠原封 |
6523 |
進(jìn)口原裝公司百分百現(xiàn)貨可出樣品 |
詢價(jià) | ||
ST |
25+ |
TO-220- |
250 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價(jià) | ||
ST |
2016+ |
TO-220 |
2980 |
公司只做原裝,假一罰十,可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) | ||
ST |
24+ |
TO-220-2 |
895 |
詢價(jià) | |||
ST |
1706+ |
? |
7500 |
只做原裝進(jìn)口,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3025 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng) |
詢價(jià) |
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