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        1. <del id="5lvfi"></del>
          

          
  
          
  
          
    
  
          
  
          
    
    
    
    
          
  
          

          

          
    
          
    
            
          
                
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          STPSC4H065
          Universal Regulated Quick Connect Power Supply
          文件：121.49 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages
          ETCList of Unclassifed Manufacturers
          未分類制造商
          

          STPSC4H065
          650 V power Schottky silicon carbide diode
          文件：178.55 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages
          STMICROELECTRONICS
          意法半導(dǎo)體
          

          STPSC4H065B-TR
          絲印：STPSC4H065；Package：DPAK；650 V power Schottky silicon carbide diode
          文件：178.55 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages
          STMICROELECTRONICS
          意法半導(dǎo)體
          

          STPSC4H065
          650 V、4 A高浪涌碳化硅功率肖特基二極管
          碳化硅（SiC）二極管是一款超高性能的功率肖特基二極管，是使用碳化硅基板制造的。寬帶隙材料可用于設(shè)計650V額定電壓的肖特基二極管。由于肖特基結(jié)構(gòu)的關(guān)系，關(guān)斷時不存在反向恢復(fù)現(xiàn)象，且振鈴模式幾乎可忽略。最小的容性關(guān)斷行為受溫度影響小。\n\n ST碳化硅（SiC）二極管特別適用于PFC應(yīng)用，可在硬開關(guān)條件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌電流能力可確保在瞬態(tài)期間提供良好的耐受性。  ? 在應(yīng)用電流范圍內(nèi)無反向恢復(fù) \n? 開關(guān)行為受溫度影響小 \n? 高耐正向浪涌電流能力 \n? 絕緣封裝TO-220AC插件： \n ?Insulated voltage: 2500 V rms \n ?Typical package capacitance: 7 pF;
          ST
          意法半導(dǎo)體
          

          STPSC4H065DLF
          650 V power Schottky silicon carbide diode
          
Features
? Less than 1 mm height package
? High creepage package
? No or negligible reverse recovery
? Temperature independent switching behavior
? High forward surge capability
? Low drop forward voltage
? Power efficient product
? ECOPACK2 compliant component

Description
This 4 A, 65
          文件：381.1 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages
          STMICROELECTRONICS
          意法半導(dǎo)體
          

          STPSC4H065D
          絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/stpsc4h065d/marking.html">STPSC4H065D；Package：TO-220AC；650 V power Schottky silicon carbide diode
          文件：178.55 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages
          STMICROELECTRONICS
          意法半導(dǎo)體
          

          STPSC4H065DLF
          4 A、650 V碳化硅功率肖特基二極管
          This 4 A, 650 V, SiC diode is an ultra-high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and r  ? Less than 1 mm height package \n? High creepage package \n? No or negligible reverse recovery \n? Temperature independent switching behavior \n? High forward surge capability \n? Low drop forward voltage \n? Power efficient product \n? ECOPACK2 compliant component;
          ST
          意法半導(dǎo)體
          

          STPSC4H065D
          Package：TO-220-2；包裝：剪切帶（CT）帶盒（TB） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC
          STMICROELECTRONICS
          意法半導(dǎo)體
          

          STPSC4H065DI
          Package：TO-220-2 絕緣，TO-220AC；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC
          STMICROELECTRONICS
          意法半導(dǎo)體
          

          STPSC4H065DLF
          Package：8-PowerVDFN；包裝：管件管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：SILICON CARBIDE DIODES
          STMICROELECTRONICS
          意法半導(dǎo)體
          

          
            
          
		
        
          
            
          
                
          技術(shù)參數(shù)
          
            
          
            
            
            	
          • Number of Diodes_spec：
            1
          • Marketing Status：
            Active
          • Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)：
            650
          • Average Rectified Current_max(A)：
            4
          • VF_max(V)：
            1.75
          • VF measure condition_spec(@ IF)(A)：
            4
          • Reverse Current_max(mA)：
            0.04
          • Total capacitive charge(nC)：
            12.5
          • Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A)：
            38
          • Junction Temperature_max(°C)：
            175
          • General Description：
            650 V
          
            
          
        
          
            
          供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
          
                
          



          STMicroelectronics
          		

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          ST原裝
          		

          25+23+
          		

          TO-220
          		

          23220
          		

          絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨
          		
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          1983
          		

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          ST
          		

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          STMICROELECTRONICS
          		

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          正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務(wù)做口碑有支持
          		
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