Robust high voltage periphery

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意法半導(dǎo)體

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/sc40h12cwy/marking.html">SC40H12CWY；Package：TO-247；40 A 1200 V power Schottky silicon carbide diode

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40 A 1200 V power Schottky silicon carbide diode

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1200 V、40 A高浪涌碳化硅功率肖特基二極管

該款碳化硅（SiC）二極管可采用TO-247 LL封裝，是一款超高性能的功率肖特基二極管，并使用碳化硅基板制造。寬帶隙材料可用于設(shè)計(jì)1200 V額定電壓的低VF（正向壓降）肖特基二極管。由于肖特基結(jié)構(gòu)的關(guān)系，關(guān)斷時(shí)不存在反向恢復(fù)現(xiàn)象，且振鈴模式幾乎可忽略。最小的容性關(guān)斷行為受溫度影響小。\n\n ST碳化硅（SiC）二極管特別適用于PFC和二次側(cè)應(yīng)用，可在硬開(kāi)關(guān)條件下大幅提升效能。這款二極管將增強(qiáng)目標(biāo)應(yīng)用的性能。其高耐正向浪涌電流能力可確保在瞬態(tài)期間提供良好的耐受性。 ? 無(wú)反向恢復(fù)，或反向恢復(fù)可忽略 \n? 開(kāi)關(guān)行為受溫度影響小 \n? 強(qiáng)大的高電壓外設(shè) \n? 工作結(jié)溫，范圍從-40 °C 到 175 °C \n? ECOPACK?2 兼容;

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2x20A 1200V Power Schottky Silicon Carbide Diode Automotive

The SiC diode, available in TO-247, is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200 V rating.\n\n Due to the Schottky construction, no recovery is ? AEC-Q101 qualified \n? No or negligible reverse recovery \n? Switching behavior independent of temperature \n? Robust high-voltage periphery \n? PPAP capable \n? Operating Tj from -40 °C to 175 °C \n? ECOPACK2 compliant;

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Package：TO-247-3；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247

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Package：TO-247-3；包裝：散裝 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：2X20A 1200V POWER SCHOTTKY SILIC

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