絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/36dn6f7/marking.html">36DN6F7；Package：PowerFLAT；Dual N-channel 60 V, 23 mΩ typ., 33 A STripFET? F7 Power MOSFET in a PowerFLAT? 5x6 double island package

Features ? Among the lowest RDS(on) on the market ? Excellent figure of merit (FoM) ? Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity ? High avalanche ruggedness Applications ? Switching applications Description This dual N-channel Power MOSFET utilizes STripFET? F7 technology with an enhanced

文件：760.97 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

雙路N溝道60 V、0.023 Ohm典型值、36 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6雙島封裝

該雙N-溝道功率MOSFET利用STripFET?F7技術(shù)和增強型溝槽柵極結(jié)構(gòu)，可降低通態(tài)電阻，同時降低內(nèi)部電容和柵極電荷，從而使開關(guān)速度更快、能效更高。 ? 處于市面上最低的RDS(on) 行列 \n? 出色的品質(zhì)因數(shù)（FoM） \n? 較低的Crss/Ciss 比值使得其具有更強的抗EMI能力 \n? 堅固的抗雪崩能力;

ST

意法半導(dǎo)體

DFN5X6

STM

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上傳：深圳市金芯世紀(jì)電子有限公司

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