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首頁 >STL128D>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
STL128D	文件：631.54 Kbytes Page：12 Pages	Low spread of dynamic parameters 文件：631.54 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STL128DN	文件：425.38 Kbytes Page：14 Pages	High voltage fast-switching NPN power transistor Description The device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is design 文件：425.38 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STL128DNFP	文件：425.38 Kbytes Page：14 Pages	High voltage fast-switching NPN power transistor Description The device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is design 文件：425.38 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STL128DFP	文件：631.54 Kbytes Page：12 Pages	Low spread of dynamic parameters 文件：631.54 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STL128D	文件：300 bytes Page：1 Pages	High voltage fast switching NPN power transistor These devices are high voltage fast-switching NPN power transistors. They are manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching speeds and medium voltage capability.\n They use a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching spee ? High voltage capability\n? Low spread of dynamic parameters? Very high switching speed\n? Integrated antiparallel collector-emitter diode;	ST 意法半導(dǎo)體	ST
STL128D	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 400V 4A TO220	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STL128DN	文件：300 bytes Page：1 Pages	高壓快速切換NPN功率晶體管 The device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is designed for use in l ? Integrated antiparallel collector-emitter diode \n? High voltage capability \n? Minimum lot-to-lot spread for reliable operation \n? Low spread of dynamic parameters \n? Large RBSOA \n? Very high switching speed;	ST 意法半導(dǎo)體	ST
STL128DN	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包裝：散裝類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 400V 4A TO220	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STL128DNFP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 400V 4A TO220FP	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
STL128D
制造商：
STMicroelectronics
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類型：
NPN
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
500mV @ 700mA，3.5A
電流 - 集電極截止（最大值）：
250μA
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 2A，5V
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-220
描述：
TRANS NPN 400V 4A TO220

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	STL128D	STMicroelectronics	25+	N/A	12421	正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊	詢價(jià)
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更多STL128D供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 15:14:00

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