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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
STGD4M65DF2	文件：448.18 Kbytes Page：20 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/g4m65df2/marking.html">G4M65DF2；Package：DPAK；Trench gate field-stop, 650 V, 4 A, M series low-loss IGBT Description This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is e 文件：448.18 Kbytes 頁(yè)數(shù)：20 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STGD4M65DF2	文件：1.09091 Mbytes Page：19 Pages	Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss 文件：1.09091 Mbytes 頁(yè)數(shù)：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STGD4M65DF2	文件：300 bytes Page：1 Pages	650 V、4 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthe ? 6 μs of short-circuit withstand time \n? VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 4 A \n? Tight parameter distribution \n? Safer paralleling \n? Low thermal resistance \n? Soft and very fast recovery antiparallel diode;	ST 意法半導(dǎo)體	ST
STGD4M65DF2_V01	文件：448.18 Kbytes Page：20 Pages	Trench gate field-stop, 650 V, 4 A, M series low-loss IGBT Description This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is e 文件：448.18 Kbytes 頁(yè)數(shù)：20 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS

技術(shù)參數(shù)

Package：
DPAK
Grade：
Industrial
VCES_max(V)：
650
PTOT_max(W)：
68
Freewheeling diode：
true
IC_max(@ Tc=100°C)(A)：
4
IC_max(@ Tc=25°C)(A)：
8
IF_max(@ Tc=100°C)(A)：
4
IF_max(@ Tc=25°C)(A)：
8
VCE(sat)_typ(V)：
1.6
VF_typ(V)：
1.9
Qg_typ(nC)：
15.2
Eon_typ(mJ)：
0.04
Eoff_typ(mJ)：
0.14
Err_typ(μJ)：
15
Qrr_typ(nC)：
140

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	STGD4M65DF2	ST(意法半導(dǎo)體)	24+	TO-252	2669	原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	STGD4M65DF2	ST/意法	25+	TO-252-3	32000	ST/意法全新特價(jià)STGD4M65DF2即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨	詢價(jià)
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