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STGAP2SICSCTR	文件：716.81 Kbytes Page：22 Pages	Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs Features ? High voltage rail up to 1200 V ? Driver current capability: 4 A sink/source @25°C ? dV/dt transient immunity ±100 V/ns in full temperature range ? Overall input-output propagation delay: 75 ns ? Separate sink and source option for easy gate driving configuration ? 4 A Miller CLAMP 文件：716.81 Kbytes 頁數(shù)：22 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導體	STMICROELECTRONICS
STGAP2SMTR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOIC-8	ST 上傳：深圳市銘爾達科技有限公司	ST
STGB10NB40LZT4	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263	st 上傳：深圳市匯創(chuàng)佳電子科技有限公司	st
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STGB19NC60KDT4	文件：0 bytes Page：0 Pages	D2PAK	ST 上傳：深圳市美光存儲技術(shù)有限公司	ST

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更多STGAP2SICSCTR供應(yīng)商更新時間2026-1-18 16:12:00