Triple half-bridge high-voltage gate driver

Features ? High voltage rail up to 600 V ? Driver current capability: – 200 mA source current @ 25 °C – 350 mA sink current @ 25 °C ? dV/dt transient immunity ±50 V/ns ? Gate driving voltage range from 9 V to 20 V ? Overall input-output propagation delay: 85 ns ? Matched propagation delay

文件：406.8 Kbytes 頁數(shù)：26 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

三半橋高壓柵極驅(qū)動器

STDRIVE601是采用BCD6s離線技術(shù)制造的高壓器件。它是一種帶有三重半橋柵極驅(qū)動器的單晶片，面向N溝道功率MOSFET或IGBT（適合于三相應(yīng)用）。\n\n 所有器件輸出可以分別提供350 mA的灌電流和200 mA的拉電流。互鎖和死區(qū)功能可防止交叉?zhèn)鲗?dǎo)。\n\n 該器件有專門的輸入引腳（對應(yīng)每個輸出）和關(guān)斷引腳。邏輯輸入兼容CMOS/TTL（可低至3.3 V），易于與控制器件連接。低側(cè)和高側(cè)之間的匹配時延保證脈沖不失真，允許高頻操作。\n\n STDRIVE601內(nèi)嵌的比較器集成了先進的SmartSD功能，確保快速有效地防止過流、超溫等故障發(fā)生。\n\n 在低側(cè)和每個高側(cè)驅(qū)動部分有專 ? 高壓導(dǎo)軌達600 V \n? 驅(qū)動器電流能力： \n ?STDRIVE601： \n ?200 mA 拉電流 @ 25 °C \n ?350 mA 灌電流 @ 25 °C \n? dV/dt瞬態(tài)抗擾度±50 V/ns \n? 柵極驅(qū)動電壓范圍：9 V 至20 V \n? 總輸入 - 輸出傳播延遲：85 ns \n? 面向所有通道的匹配傳播時延 \n? 具有遲滯的3.3 V，5 V TTL / CMOS輸入? 集成自舉二極管 \n? 比較器，用于快速過流保護 \n? 智能關(guān)斷功能 \n? 互鎖和死區(qū)功能 \n? 專用的使能引腳 \n? 在低側(cè)和高側(cè)實現(xiàn)UVLO功能;

ST

意法半導(dǎo)體

Package：28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：集成電路（IC） 全半橋驅(qū)動器 描述：TRIPLE HALF-BRIDGE HIGH-VOLTAGE

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意法半導(dǎo)體

Triple half-bridge high-voltage gate driver

Features ? High voltage rail up to 600 V ? Driver current capability: – 200 mA source current @ 25 °C – 350 mA sink current @ 25 °C ? dV/dt transient immunity ±50 V/ns ? Gate driving voltage range from 9 V to 20 V ? Overall input-output propagation delay: 85 ns ? Matched propagation delay

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意法半導(dǎo)體

Package：28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：集成電路（IC） 全半橋驅(qū)動器 描述：TRIPLE HALF-BRIDGE HIGH-VOLTAGE

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