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          首頁>STD901T>規(guī)格書詳情

          STD901T中文資料用于點(diǎn)火線圈的高壓NPN達(dá)林頓晶體管數(shù)據(jù)手冊ST規(guī)格書

          PDF無圖
          廠商型號(hào)

          STD901T

          參數(shù)屬性

          STD901T 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK

          功能描述

          用于點(diǎn)火線圈的高壓NPN達(dá)林頓晶體管
          TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK

          封裝外殼

          TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

          制造商

          ST STMicroelectronics

          中文名稱

          意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán)

          數(shù)據(jù)手冊

          原廠下載下載地址下載地址二

          更新時(shí)間

          2026-1-21 11:49:00

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          STD901T規(guī)格書詳情

          描述 Description

          The device is a high voltage NPN transistor in monolithic special Darlington configuration, designed for applications such as electronic ignition for small engines (scooters, lawnmowers, chainsaws).

          特性 Features

          ? High voltage special Darlington structure
          ? Very rugged Bipolar technology
          ? High DC current gain

          簡介

          STD901T屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由ST制造生產(chǎn)的STD901T晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

          技術(shù)參數(shù)

          更多
          • 制造商編號(hào)

            :STD901T

          • 生產(chǎn)廠家

            :ST

          • Marketing Status

            :Active

          • Grade

            :Industrial

          • Transistor Polarity

            :NPN

          • Collector-Emitter Voltage_max(V)

            :350

          • Collector-Base Voltage_max(V)

            :500

          • Collector Current_abs_max(A)

            :4

          • Dc Current Gain_min

            :1800

          • Dc Current Gain_max

            :3800

          • Test Condition for hFE (IC)

            :2

          • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

            :2

          • VCE(sat)_max(V)

            :2

          • Test Condition for VCE(sat) - IC

            :2

          • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

            :20

          供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
          MICROCHIP/微芯
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          NA
          20094
          正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
          詢價(jià)
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