isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 1.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 1050V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 10Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive,

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ISC

無(wú)錫固電

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/2n105k5/marking.html">2N105K5；Package：DPAK；N-channel 1050 V, 6 廓 typ., 1.5 A MDmesh??K5 Power MOSFETs in DPAK, TO-220 and IPAK packages

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STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

N溝道1050 V、6 Ohm典型值、1.5 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封裝

這款超高壓N-溝道功率MOSFETs 采用MDmesh? K5技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)。該技術(shù)以創(chuàng)新專有的垂直工藝為基礎(chǔ)。因此，在要求高功率密度和高效率的應(yīng)用中，導(dǎo)通電阻顯著降低，并具有極低的柵極電荷。 ? 業(yè)界領(lǐng)先的低 RDS(on) x 面積 \n? 業(yè)界出色的品質(zhì)因數(shù)（FoM） \n? 極低的柵極電荷 \n? 經(jīng)過(guò)100％雪崩測(cè)試 \n? 穩(wěn)壓保護(hù);

ST

意法半導(dǎo)體

N-channel 1050 V, 6 廓 typ., 1.5 A Zener-protected SuperMESH??5 Power MOSFET in a TO-3PF package

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意法半導(dǎo)體

N-channel 1050 V, 6 廓 typ., 1.5 A MDmesh??K5 Power MOSFETs in DPAK, TO-220 and IPAK packages

文件：1.14192 Mbytes 頁(yè)數(shù)：21 Pages

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意法半導(dǎo)體

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 1.5A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 1050V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 8Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Switching

文件：397.64 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages

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無(wú)錫固電