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STD180N4F6中文資料N-channel 40 V, 3.8 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package數(shù)據(jù)手冊ST規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
STD180N4F6 |
| 功能描述 | N-channel 40 V, 3.8 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán) |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2026-1-22 20:02:00 |
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描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET? F6 technology with anew trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) inall packages.
特性 Features
? Very low on-resistance
? Very low gate charge
? High avalanche ruggedness
? Low gate drive power loss
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號(hào)
：STD180N4F6
- 生產(chǎn)廠家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：40
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0043
- Drain Current (Dc)_max(A)
：120
- PTOT_max(W)
：168
- Qg_typ(nC)
：130
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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專業(yè)模塊 |
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