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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
STD15P6F6AG	文件：1.34871 Mbytes Page：5 Pages	絲印：AP15P10D；Package：TO-252；-100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：1.34871 Mbytes 頁數(shù)：5 Pages	LEIDITECH 雷卯電子	LEIDITECH
STD15P6F6AG	文件：643.48 Kbytes Page：15 Pages	Very low on-resistance 文件：643.48 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STD15P6F6AG	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽車級P溝道-60 V、0.13 Ohm典型值、-10 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封裝 This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET? F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages. ? Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified \n? Very low on-resistance \n? Very low gate charge \n? High avalanche ruggedness \n? Low gate drive power loss;	ST 意法半導(dǎo)體	ST
STD1NK80ZT4	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	ST/意法上傳：深圳市天芯威科技有限公司	ST/意法
STD20NF06LT4MOS(場效應(yīng)管)	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	ST/意法上傳：深圳龐田科技有限公司	ST/意法

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更多STD15P6F6AG供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 10:31:00