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首頁(yè) >STD13NM60ND>規(guī)格書(shū)列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
STD13NM60ND	文件：1.55172 Mbytes Page：21 Pages	N-channel 600 V, 0.32 typ., 11 A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in DPAK Description These FDmesh? II Power MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using the second generation of MDmesh? technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, these revolutionary devices feature extremely low on-resistance and superior switching performance. T 文件：1.55172 Mbytes 頁(yè)數(shù)：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STD13NM60ND	文件：323.25 Kbytes Page：2 Pages	絲印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel Mosfet Transistor 文件：323.25 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
STD13NM60ND	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 600 V, 325 mOhm typ., 11 A FDmesh II Power MOSFET in a DPAK package This FDmesh II Power MOSFET with fast-recovery body diode is produced using MDmesh II technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this device features low on-resistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters. ? Fast-recovery body diode \n? Low gate charge and input capacitance \n? Low on-resistance RDS(on) \n? 100% avalanche tested \n? High dv/dt ruggedness;	ST 意法半導(dǎo)體	ST
STF13NM60N	文件：989.75 Kbytes Page：21 Pages	N-channel 600 V, 0.28 廓 typ., 11 A MDmesh??II Power MOSFET in TO-220FP, I?PAK, TO-220, IPAK, TO-247 packages Description These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh? technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitab 文件：989.75 Kbytes 頁(yè)數(shù)：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STF13NM60N	文件：989.75 Kbytes Page：21 Pages	N-channel 600 V, 0.28 ohm typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, I2PAK, TO-220, IPAK, TO-247 packages Description These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh? technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitab 文件：989.75 Kbytes 頁(yè)數(shù)：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STF13NM60N	文件：313.02 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：313.02 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC

技術(shù)參數(shù)

Package：
DPAK
Packing Type：
Tape And Reel
Marketing Status：
Active
ECCN (EU)：
NEC
ECCN (US)：
EAR99
Country of Origin：
CHINA
More info：
MORE INFO

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	STD13NM60ND	ST	2024+	N/A	70000	柒號(hào)只做原裝現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)	詢價(jià)
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深圳市高捷芯城科技有限公司	STD13NM60ND	ST(意法)	25+	N/A	18798	原裝正品現(xiàn)貨,原廠訂貨,可支持含稅原型號(hào)開(kāi)票。	詢價(jià)
深圳市達(dá)恩科技有限公司	STD13NM60ND	STMicroelectronics	24+	NA	3680	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)	詢價(jià)
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更多STD13NM60ND供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 13:00:00

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