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STD12NF06T4	文件：333.86 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 60V - 0.08廓 - 12A - DPAK - IPAK STripFET??II Power MOSFET Description This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique Single Feature Size? strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remark 文件：333.86 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STD12NF06T4	文件：341.77 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 60 V, 0.08廓, 12 A, DPAK, IPAK STripFET??II Power MOSFET 文件：341.77 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STD12NF06T4	文件：1.00534 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.00534 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
STD12NF06T4	文件：300 bytes Page：1 Pages	N溝道60V - 0.08Ohm - 12A - DPAK StripFET(TM) II功率MOSFET This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique \\\"single feature size\\\" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manu ? Exceptional dv/dt capability \n? Low gate charge;	ST 意法半導(dǎo)體	ST
STD12NF06T4-1	文件：963.88 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：963.88 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
STD12NF06T4-1	文件：341.77 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 60 V, 0.08廓, 12 A, DPAK, IPAK STripFET??II Power MOSFET 文件：341.77 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STD12NF06T4T4	文件：341.77 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 60 V, 0.08廓, 12 A, DPAK, IPAK STripFET??II Power MOSFET 文件：341.77 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS

技術(shù)參數(shù)

Package：
DPAK
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
60
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.1
Drain Current (Dc)_max(A)：
12
PTOT_max(W)：
30
Qg_typ(nC)：
10

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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