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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
STD123	文件：182.66 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Transistor Features ? Low saturation medium current application ? Extremely low collector saturation voltage ? Suitable for low voltage large current drivers ? High DC current gain and large current capability ? Low on resistance : RON=0.6?(Max.) (IB=1mA) 文件：182.66 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	AUK	AUK
STD123	文件：268.99 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Low saturation medium current application ● Extremely low collector saturation voltage ● Suitable for low voltage large current drivers ● High DC current gain and large current capability ● Low on resistance : RON=0.6?(Max.) (IB=1mA） APPLICATIONS ● NPN Silicon Epitaxial Planar Tr 文件：268.99 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	BILIN 銀河微電	BILIN
STD123	文件：180.34 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Transistor Features ? Low saturation medium current application ? Extremely low collector saturation voltage ? Suitable for low voltage large current drivers ? High DC current gain and large current capability ? Low on resistance : RON=0.6Ω(Max.) (IB=1mA) 文件：180.34 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI
STD123	文件：180.34 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Transistor 文件：180.34 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI
STD123	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors	Kodenshi-AUK	Kodenshi-AUK
STD123AS	文件：157.7 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Transistor Features ? High β & low saturation transistor. hFE=400 Min. @VCE=1V, Ic=100mA ? Suitable for large current drive directly. ? Application for IRED Drive transistor in remote transmitter. 文件：157.7 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	AUK	AUK
STD123AS	文件：273.16 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Transistor Features ? High β & low saturation transistor. ? hFE=400 Min. @VCE=1V, Ic=100mA ? Suitable for large current drive directly. ? Application for IRED Drive transistor in remote transmitter. 文件：273.16 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI
STD123ASF	文件：262.91 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Transistor Features ? High β & low saturation transistor. hFE=400 Min. @VCE=1V, Ic=100mA ? Suitable for large current drive directly. ? Application for IRED Drive transistor in remote transmitter. 文件：262.91 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI
STD123ASF	文件：190.23 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Transistor Features ? High β & low saturation transistor. hFE=400 Min. @VCE=1V, Ic=100mA ? Suitable for large current drive directly. ? Application for IRED Drive transistor in remote transmitter. 文件：190.23 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	AUK	AUK
STD123N	文件：213.06 Kbytes Page：3 Pages	Epitaxial planar NPN silicon transistor Description ? High current application Features ? Extremely low collector saturation voltage: VCE(sat)=0.1V(Typ.) @ IC=500mA, IB=50mA ? Suitable for low voltage large current drivers ? High DC current gain and large current capability ? Low on resistance : RON=0.6?(Max.) @ IB=1mA 文件：213.06 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	AUK	AUK

技術(shù)參數(shù)

Classifacation：
Single type
VCEO [V]：
15
IC[mA]：
1000
PC[mW]：
625
hFE_Min：
150
hFE@ VCE [V]：
1
hFE@ IC[mA]：
100
VCE(sat) [V]_Max：
0.3
VCE(sat) [V]@ IC[mA]：
500
VCE(sat) [V]@ IB[mA]：
50
fT[MHz]_Typ：
260
fT[MHz]@ VCE [V]：
5
fT[MHz]@ IC[mA]：
50

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深圳市凌旭科技有限公司	STD123SJ	AUK	2016+	SOT23	15000	只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!	詢價
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