STD10P6F6中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
STD10P6F6 |
| 功能描述 | P-channel 60 V, 0.15 廓 typ., 10 A STripFET??VI DeepGATE??Power MOSFET in DPAK and TO-220 packages |
| 文件大小 |
490.86 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
15 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2026-1-21 20:00:00 |
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STD10P6F6規(guī)格書詳情
描述 Description
These devices are P-channel Power MOSFETs developed using the STripFET? F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
? Very low on-resistance
? Very low gate charge
? High avalanche ruggedness
? Low gate drive power loss
Applications
? Switching applications
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
STD10P6F6
- 功能描述：
MOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGate
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
DPAK |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | ||
ST |
21+ |
TO252 |
1523 |
公司現(xiàn)貨,不止網(wǎng)上數(shù)量!原裝正品,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
21+ |
TO-252-3 |
12820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
新年份 |
TO-252 |
33288 |
原裝正品現(xiàn)貨,實(shí)單帶TP來談! |
詢價(jià) | ||
ST |
21+ |
TO-252 |
21 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
TO252 |
6996 |
只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-252 |
20300 |
ST/意法原裝特價(jià)STD10P6F6即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
2023+ |
TO252 |
2500 |
專注全新正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
ST |
25+ |
TO-252 |
30000 |
公司新到進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-252-3 |
15000 |
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十! |
詢價(jià) |
