絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/100n10f7/marking.html">100N10F7；Package：DPAK；N-channel 100 V, 6.8 mΩ typ., 80 A STripFET? F7 Power MOSFETs in D2PAK, DPAK, TO-220FP, I2PAK and TO-220 packages

Features ? Among the lowest RDS(on) on the market ? Excellent FoM (figure of merit) ? Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity ? High avalanche ruggedness Applications ? Switching applications Description These N-channel Power MOSFETs utilize STripFET? F7 technology with an enhanced trenc

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STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/dpak/marking.html">DPAK；Package：TO-252；Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：305.15 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages

ISC

無(wú)錫固電

N-channel 100 V, 0.0068 廓 typ., 80 A, STripFET??VII DeepGATE??Power MOSFET in D2PAK, DPAK, TO-220FP and TO-220

文件：1.6682 Mbytes 頁(yè)數(shù)：23 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

N溝道100 V、0.0068 Ohm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封裝

該N-溝道功率MOSFET利用STripFET?F7技術(shù)和增強(qiáng)型溝槽柵極結(jié)構(gòu)，可降低通態(tài)電阻，同時(shí)降低內(nèi)部電容和柵極電荷，從而使開(kāi)關(guān)速度更快、能效更高。 ? 處于市面上最低的 RDS(on) 行列 \n? 出色的品質(zhì)因數(shù)（FoM） \n? 較低的Crss/Ciss 比值使得其具有更強(qiáng)的抗EMI能力 \n? 堅(jiān)固的抗雪崩能力;

ST

意法半導(dǎo)體