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|---|---|---|---|---|
START499ETR | 絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/e99/marking.html">E99；Package：SOT-343；NPN RF silicon transistor Description START499ETR is a product of the START family that provide the market with a Si state-of-art RF process. Manufactured in ST 3rd generation bipolar process, it offers the highest power, gain and efficiency in SOT-343 for given breakdown voltage (BVceo). Suitable for a wide range of appl 文件：244.5 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體 | STMICROELECTRONICS | |
NPN Silicon RF Transistor DESCRIPTION START499 is a product of the START family that provide the market with a Si state-of-art RF process. Manufactured in St 3rd generation bipolar process, it offers the highest power, gain and efficiency in SOT343 for given breakdown voltage (BVceo). Suitable for a wide range of applicat 文件：70.31 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體 | STMICROELECTRONICS | ||
Epitaxial Planar PNP Transistor 文件：46.93 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | AUK | AUK | ||
Epitaxial planar PNP silicon transistor Descriptions ? Dual chip digital transistor Features ? Two SRA2205 chips in SOT-353 package ? Simplify circuit design ? Reduce a quantity of parts and manufacturing process 文件：273.13 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | KODENSHI 可天士 | KODENSHI |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號：
START499ETR
- 功能描述：
兩極晶體管 - BJT Discrete Med P AMP
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO：
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
- 封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
25+ |
SOT343 |
19951 |
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ST/意法 |
2025+ |
SOT-343 |
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ST |
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7500 |
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STMicroelectronics |
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ST |
2025+ |
SOT-343 |
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ST(意法) |
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