功率 MOSFET，N 溝道，B-FET，450 V，0.5 A，4.25 ?，TO-92

這些N溝道增強(qiáng)模式功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用飛兆專(zhuān)有的平面DMOS技術(shù)生產(chǎn)。 這一先進(jìn)技術(shù)是專(zhuān)為最大限度地降低通態(tài)電阻，提供卓越開(kāi)關(guān)性能，以及在雪崩和交換模式下承受高能量脈沖而定制的。 這些器件非常適合半橋配置的電子整流器。 ?0.5A，450V，RDS(on) = 4.25Ω @VGS = 10 V\n?低柵極電荷（典型值6.5nC）\n?低Crss（典型值6.5 pF）\n?100%經(jīng)過(guò)雪崩測(cè)試\n?可提高dv/dt處理能力\n?柵極-源電壓 ±；50V保證;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

耳機(jī)插孔和插頭

Legrand

羅格朗