AC-DC

SS8201B是一款內(nèi)置800V高雪崩能力智能功率MOSFET的降壓型(BUCK)非隔離恒壓輸出調(diào)節(jié)器。采用特有的多模式控制技術(shù)，只需要極少的外圍組件就可以達(dá)到優(yōu)異的恒壓特性。輸出電壓可通過外部FB電阻調(diào)整。內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)和自供電模塊(BVSS電壓可達(dá)1000V)，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)快速啟動(dòng)、超低待機(jī)功耗、自供電等功能。SS8201B采用獨(dú)特結(jié)構(gòu)解決了浪涌和群脈沖抑制能力，可實(shí)現(xiàn)不低于±4KV的實(shí)驗(yàn)測(cè)試。 芯片內(nèi)置多種保護(hù)措施:如軟啟動(dòng);芯片供電欠壓、鉗位、過壓保護(hù); 系統(tǒng)過溫保護(hù); 逐周期限流保護(hù);輸出過壓、短路保護(hù);電流采樣前沿消隱。 ? 負(fù)載電流：500mA ( 5V )? ?;? ?200mA ( 12V )\n? 內(nèi)置800V高雪崩能力智能功率MOSFET\n? 輸出電壓 3.3V~24V可通過FB電阻調(diào)整\n? 多種模式控制，無異音工作\n? 待機(jī)功耗低于75mW\n? 采用獨(dú)有的PWM/PFM多模式控制技術(shù)，無需環(huán)路補(bǔ)償電容，系統(tǒng)待機(jī)功耗低，效率高，動(dòng)態(tài)特性好，輕載噪聲低;

ORISILICON

矽源特科技

DUAL BAND WIRELESS LAN BASEBAND PROCESSOR

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STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

Dual N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ● Super high dense cell design for low RDS(ON). ● Rugged and reliable. ● Surface Mount Package. ● ESD Protected.

文件：565.17 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages

SAMHOP

三合微科

Dual N-Channel MOSFET

FEATURES ? Halogen-free Option Available ? TrenchFET? Power MOSFETs ? 100 Rg Tested ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

文件：442.48 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages

VBSEMI

微碧半導(dǎo)體