直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

SPF8201為內(nèi)置高耐壓功率MOSFET、可構(gòu)成Flyback方式的開關(guān)電源控制IC。芯片外圍回路設(shè)計(jì)必要的元器件數(shù)量少，適用于電源的小型化。標(biāo)準(zhǔn)化。 ?車載等級(jí)產(chǎn)品、AEC-Q100等級(jí)標(biāo)準(zhǔn) \n ?800V 規(guī)格，高耐壓功率MOSFET內(nèi)置\n ?內(nèi)置啟動(dòng)電路（待機(jī)時(shí)的功耗低，可以減小外圍器件）\n ?內(nèi)置高精度誤差放大器（全溫度范圍±2%），可簡(jiǎn)單構(gòu)成反激式開關(guān)電源 \n ?固定頻率PWM控制方式，發(fā)振頻率可通過外置電容的容量進(jìn)行設(shè)定 \n ?電流模式控制 \n ?內(nèi)置;

Sanken

三墾

Built-in startup circuit

文件：657.63 Kbytes 頁(yè)數(shù)：19 Pages

SANKEN

三墾

DUAL BAND WIRELESS LAN BASEBAND PROCESSOR

文件：84.97 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

Dual N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ● Super high dense cell design for low RDS(ON). ● Rugged and reliable. ● Surface Mount Package. ● ESD Protected.

文件：565.17 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages

SAMHOP

三合微科

Dual N-Channel MOSFET

FEATURES ? Halogen-free Option Available ? TrenchFET? Power MOSFETs ? 100 Rg Tested ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

文件：442.48 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages

VBSEMI

微碧半導(dǎo)體