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SM8A04NSF	文件：2.19022 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：2.19022 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
TPC8A04-H	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 頁數(shù)：73 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
TPCA8A04-H	文件：201.16 Kbytes Page：8 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor with Built-in Schottky Barrier Diode High Efficiency DC-DC Converter Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications ? Built-in a schottky barrier diode Low forward voltage: VDSF = ?0.6 V (max) ? High-speed switching ? Small gate charge: QSW = 13.4 nC (typ.) ? Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 文件：201.16 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
TPCA8A04-H	文件：1.11174 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.11174 Mbytes 頁數(shù)：7 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI

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更多SM8A04NSF供應(yīng)商更新時間2026-1-20 10:20:00