SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features low feedback and output capacitances, re

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POLYFET

VDMOS SHORTFORM S1

Polyfet RF Devices

RF POWER VDMOS TRANSISTOR

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POLYFET

SOT-23 Precision Micropower Series Voltage Reference

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德州儀器

Smart Bypass Diode

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Smart Bypass Diode

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0.5V 至 100V 智能旁路二極管

SM74611 是一款面向光伏應(yīng)用的智能旁路二極管。 該二極管可為正常工作期間被遮蔽的部分光伏板提供另外一條線串電流路徑。 如果沒有旁路二極管，被遮蔽單元會因反向偏置單元功耗過大而呈現(xiàn)為過熱點。 目前采用傳統(tǒng)的 P-N 結(jié)二極管或肖特基二極管來緩解這一問題。 遺憾的是，此類二極管的正向電壓仍偏高（普通二極管約為 0.6V，而肖特基二極管為 0.4V）。 當(dāng)流過二極管的電流為 10A 時，功耗會高達(dá) 6W。這會導(dǎo)致二極管所在接線盒的內(nèi)部溫度升高并降低模塊可靠性。 SM74611 的優(yōu)勢在于，正向壓降比 P-N 結(jié)二極管和肖特基二極管低。 該二極管在 8A 電流下的平均正向壓降典型值為 26mV。 ? 最低反向電壓 (VR)：30V\n? 正向工作電流 (IF)：高達(dá) 15A\n? 低平均正向電壓：8A 時為 26mV\n? 功耗比肖特基二極管低 \n? 泄漏電流比肖特基二極管低\n? 與傳統(tǒng)的 D2PAK 肖特基二極管封裝和引腳兼容\n? 工作溫度范圍 (Tj)：-40°C 至 125°C;

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SOT-23 Precision Micropower Series Voltage Reference

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Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE GEN PURP 30V 15A DDPAK

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