SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. 150.0 Watts Single Ended Package Style AM HIGH EFFICI

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POLYFET

VDMOS SHORTFORM S1

Polyfet RF Devices

RF POWER VDMOS TRANSISTOR

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POLYFET

AC / DC PWM power switch

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鉦銘科電子

AC / DC PWM power switch

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鉦銘科電子

AC / DC PWM power switch

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鉦銘科電子

AC/DC PWM 功率開關(guān)

SM7055是一款高精度非隔離降壓恒壓控制芯片，適用于85Vac~265Vac全電壓范圍應用，內(nèi)部集成650V高壓功率管，內(nèi)置CS電阻，無需外部補償元件，即可實現(xiàn)優(yōu)異的線性調(diào)整率和負載調(diào)整率，外圍元件極少，大大的降低了系統(tǒng)的成本，節(jié)約了PCB的尺寸。 ?輸入電壓：85Vac~265Vac\n?拓撲結(jié)構(gòu)支持：低成本BUCK、BUCK-BOOST等方案\n?采用650V單芯片集成工藝\n?待機功耗小于60mW@220Vac\n?集成高壓啟動電路\n?集成高壓功率開關(guān)\n?60KHz固定開關(guān)頻率\n?電流模式PWM控制方式\n?內(nèi)置抖頻技術(shù)，提升EMC性能\n?內(nèi)置過溫、過流、過壓、欠壓等保護功能\n?內(nèi)置軟啟動\n?內(nèi)置智能軟驅(qū)動技術(shù)（提高EMC性能）\n?封裝形式： DIP8;

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高壓電源驅(qū)動-非隔離恒壓

SM7055-12是一款高精度非隔離降壓恒壓控制芯片，適用于85Vac~265Vac全電壓范圍應用；SM7055-12內(nèi)部集成650V高壓功率管，內(nèi)置CS電阻，無需外部補償元件，即可實現(xiàn)優(yōu)異的線性調(diào)整率和負載調(diào)整率，外圍元件極少，大大的降低了系統(tǒng)的成本，節(jié)約了PCB的尺寸。 ?輸入電壓：85Vac~265Vac\n?拓撲結(jié)構(gòu)支持：低成本BUCK、BUCK-BOOST等方案\n?采用650V單芯片集成工藝\n?待機功耗小于60mW@220Vac\n?集成高壓啟動電路\n?集成高壓功率開關(guān)\n?60KHz固定開關(guān)頻率\n?電流模式PWM控制方式\n?內(nèi)置抖頻技術(shù)，提升EMC性能\n?內(nèi)置過溫、過流、過壓、欠壓等保護功能\n?內(nèi)置軟啟動\n?內(nèi)置智能軟驅(qū)動技術(shù)（提高EMC性能）\n?封裝形式：TO252-2、TO251;

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