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| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
SIHP24N65E-E3 | E Series Power MOSFET FEATURES ? Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg ? Low input capacitance (Ciss) ? Reduced switching and conduction losses ? Ultra low gate charge (Qg) ? Avalanche energy rated (UIS) ? Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ? Ser 文件：220.99 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
SIHP24N65E-E3 | E Series Power MOSFET 文件：213.56 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
E Series Power MOSFET 文件：182.41 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
TQFP100 | SILICONI | SILICONI | ||
TQFP100 | SILICON | SILICON |
詳細參數(shù)
- 型號：
SIHP24N65E-E3
- 功能描述：
MOSFET 650V 145mOhm@10V 24A N-Ch E-SRS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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