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詳細參數(shù)
- 型號：
SI8808DB-T2-E1
- 功能描述：
MOSFET 30V 2.5A 0.9W 0.095ohms @ 4.5V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
25+ |
UFBGA |
32360 |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY |
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VISHAY |
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
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VISHAY/威世 |
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UFBGA |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
UFBGA |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 |
更多SI8808DB-T2-E1供應(yīng)商
更新時間2026-1-19 17:06:00
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