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          詳細(xì)參數(shù)

          • 型號(hào):

            SI8406DB-T2-E1

          • 功能描述:

            MOSFET 20V 16A 13W 33mohm @ 4.5V

          • RoHS:

          • 制造商:

            STMicroelectronics

          • 晶體管極性:

            N-Channel

          • 汲極/源極擊穿電壓:

            650 V

          • 閘/源擊穿電壓:

            25 V

          • 漏極連續(xù)電流:

            130 A 電阻汲極/源極

          • RDS(導(dǎo)通):

            0.014 Ohms

          • 配置:

            Single

          • 安裝風(fēng)格:

            Through Hole

          • 封裝/箱體:

            Max247

          • 封裝:

            Tube

          供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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          更多SI8406DB-T2-E1供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-18 14:14:00
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