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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
SI4800	文件：254.88 Kbytes Page：13 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/4800/marking.html">4800；Package：SO-8；N-channel enhancement mode field-effect transistor N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1. Low gate charge 2. Surface mounted package 3. Low on-state resistance 4. Fast switching. 文件：254.88 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	PHI PHI	PHI
SI4800	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor	恩XP	恩XP
SI4800	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Nexperia 安世	Nexperia
SI4800BDY	文件：184.04 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available ? TrenchFET? Power MOSFET ? High-Efficient PWM Optimized ? 100 UIS and Rg Tested 文件：184.04 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI4800BDY	文件：252.9 Kbytes Page：9 Pages	絲印：4800B；Package：SO-8；N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ?? Available ? TrenchFET? Power MOSFET ? High-Efficient PWM Optimized ? 100 UIS and Rg Tested 文件：252.9 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI4800BDY_V01	文件：184.04 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available ? TrenchFET? Power MOSFET ? High-Efficient PWM Optimized ? 100 UIS and Rg Tested 文件：184.04 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI4800BDY-T1-E3	文件：1.00749 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free ? TrenchFET? Power MOSFET ? Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation ? 100 Rg Tested ? 100 UIS Tested APPLICATIONS ? Notebook CPU Core - High-Side Switch 文件：1.00749 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導體	VBSEMI
SI4800BDY-T1-E3	文件：252.9 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ?? Available ? TrenchFET? Power MOSFET ? High-Efficient PWM Optimized ? 100 UIS and Rg Tested 文件：252.9 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI4800DY-T1-E3	文件：1.00694 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free ? TrenchFET? Power MOSFET ? Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation ? 100 Rg Tested ? 100 UIS Tested APPLICATIONS ? Notebook CPU Core - High-Side Switch 文件：1.00694 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導體	VBSEMI
SI4800BD_V01	文件：184.04 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET 文件：184.04 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

詳細參數(shù)

型號：
SI4800
功能描述：
MOSFET TAPE13 MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多SI4800供應(yīng)商更新時間2026-1-20 22:22:00

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