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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
SI3590DV	文件：282.61 Kbytes Page：13 Pages	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES ? TrenchFET? power MOSFET ? Ultra low RDS(on) n- and p-channel for high efficiency ? Optimized for high side / low side ? Minimized conduction losses ? Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ? Portable devices inc 文件：282.61 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI3590DV	文件：9.67179 Mbytes Page：10 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/66g/marking.html">66G；Package：SOT23-6；N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Application DC-DC Converters. Load Switch. Power Management. 文件：9.67179 Mbytes 頁數(shù)：10 Pages	TECHPUBLIC 臺舟電子	TECHPUBLIC
SI3590DV	文件：233.66 Kbytes Page：13 Pages	N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：233.66 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI3590DV	文件：64.76 Kbytes Page：8 Pages	N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：64.76 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI3590DV	文件：124.2 Kbytes Page：9 Pages	N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：124.2 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI3590DV	文件：123.41 Kbytes Page：9 Pages	N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：123.41 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI3590DV	文件：232.4 Kbytes Page：13 Pages	N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：232.4 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI3590DV_V01	文件：282.61 Kbytes Page：13 Pages	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES ? TrenchFET? power MOSFET ? Ultra low RDS(on) n- and p-channel for high efficiency ? Optimized for high side / low side ? Minimized conduction losses ? Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ? Portable devices inc 文件：282.61 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI3590DV-T1-E3	文件：282.61 Kbytes Page：13 Pages	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES ? TrenchFET? power MOSFET ? Ultra low RDS(on) n- and p-channel for high efficiency ? Optimized for high side / low side ? Minimized conduction losses ? Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ? Portable devices inc 文件：282.61 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI3590DV-T1-GE3	文件：598.37 Kbytes Page：10 Pages	N- and P-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 Rg Tested ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：598.37 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI

詳細參數(shù)

型號：
SI3590DV
制造商：
VISHAY
制造商全稱：
Vishay Siliconix
功能描述：
N- and P-Channel 30-V(D-S) MOSFET

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	Si3590DV	VISHAY/威世	20+	TSOP-6	120000	原裝正品可含稅交易	詢價
柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	SI3590DV	VISHAY	2024+	N/A	70000	柒號只做原裝現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)	詢價
深圳市天地昆電子有限公司	SI3590DV	VISHAY	12+	SOT-23-6	22	上傳都是百分之百進口原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市益百分電子有限公司	SI3590Dv	VISHAY	23+	TSOP6	177000	SI3590DV-T1-GE3-VB是VBsemi品牌生產(chǎn)的雙路N+P—Channel溝道功率MOSFET，采用SOT23-6封裝。它集成了兩個N溝道MOSFET和一個P溝道MOSFET，具有雙向電流傳輸能力，適用于多種功率管理和開關(guān)電路設(shè)計。 ### 詳細參數(shù)說明 - 電壓額定值 (VDS):_±20V - **N溝道電流額定值 (ID	詢價
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	SI3590DV	VIS	23+	SOT-26	35923	原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市豪邁興電子有限公司	SI3590DV	VISSHAY(威世)	24+		6232	公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價出售!強勢庫存!	詢價
深圳市英卓爾科技有限公司	Si3590DV	Vishay	20+	TSOP-6	2960	誠信交易大量庫存現(xiàn)貨	詢價
深圳市正納電子有限公司	SI3590DV	Vishay(威世)	23+	NA	20094	正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務(wù)做口碑有支持	詢價
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	Si3590DV	VISHAY/威世	25+	SOT-23-6	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳市躍創(chuàng)芯科技有限公司	SI3590DV	VISHAY/威世	2022+	SOT-23-6	30000	進口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),絕對原裝假一罰十	詢價

更多SI3590DV供應(yīng)商更新時間2026-1-18 10:01:00

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