Ultra Low On-Resistance

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IRF

P 溝道，2.5V 指定，PowerTrench? MOSFET，-20V，-4A，65mΩ

此N溝道2.5V額定MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大程度地降低導(dǎo)通阻抗并保持低柵極電荷以獲得卓越開關(guān)性能而定制的。 這些器件經(jīng)過專門設(shè)計(jì)，能以極小的尺寸提供出色的功耗，適合那些不宜采用更大封裝的應(yīng)用。 ?-4 A, -20 V\n?RDS(ON) = 0.065Ω @ VGS = -4.5 V\n?RDS(ON) = 0.100Ω @ VGS = -2.5 V\n?快速開關(guān)速度\n?低柵極電荷（7.2nC，典型值）\n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(ON)\n?SuperSOT? -6封裝： 小尺寸（比標(biāo)準(zhǔn)SO-8小72%）；薄型（1mm厚）;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP

Infineon

英飛凌

MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP

Infineon

英飛凌