| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
SFT12 | 1.0 AMP. Super Fast Rectifiers 文件：65.129 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | TSC 臺灣半導體 | TSC | |
SFT12 | 1.0 AMP. Super Fast Rectifiers 文件：270.35 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | TSC 臺灣半導體 | TSC | |
SFT12 | 1.0 AMP_Super Fast Rectifiers 文件：548.31 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | TSC 臺灣半導體 | TSC | |
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Voltage Switching Applications High-Voltage Switching Applications Features ? Adoption of FBET, MBIT process. ? High current capacitance. ? Low collector-to-emitter saturation voltage. ? High-speed switching. ? High allowable power dissipation. Applications ? DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers 文件：62.03 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | SANYO 三洋 | SANYO | ||
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Voltage Switching Applications High-Voltage Switching Applications Features ? Adoption of FBET, MBIT process. ? High current capacitance. ? Low collector-to-emitter saturation voltage. ? High-speed switching. ? High allowable power dissipation. Applications ? DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, mot 文件：62.13 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | SANYO 三洋 | SANYO | ||
Bipolar Transistor Bipolar Transistor 150V, 2A, Low VCE(sat), NPN Single TP/TP-FA Features ? Adoption of FBET, MBIT process ? Large current capacity ? Low collector-to-emitter saturation voltage ? High-speed switching ? High allowable power dissipation Applications ? DC / DC converter, relay drive 文件：412.63 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages | ONSEMI 安森美半導體 | ONSEMI | ||
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ? Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.165V(Max)( IC= 1A; IB= 0.1A) ? Fast -Switching speed ? High allowable power dissipation ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ? DC/DC converter ? 文件：262.39 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
Bipolar Transistor Bipolar Transistor 150V, 2A, Low VCE(sat), NPN Single TP/TP-FA Features ? Adoption of FBET, MBIT process ? Large current capacity ? Low collector-to-emitter saturation voltage ? High-speed switching ? High allowable power dissipation Applications ? DC / DC converter, relay drive 文件：412.63 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages | ONSEMI 安森美半導體 | ONSEMI | ||
Bipolar Transistor Bipolar Transistor 150V, 2A, Low VCE(sat), NPN Single TP/TP-FA Features ? Adoption of FBET, MBIT process ? Large current capacity ? Low collector-to-emitter saturation voltage ? High-speed switching ? High allowable power dissipation Applications ? DC / DC converter, relay drive 文件：412.63 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages | ONSEMI 安森美半導體 | ONSEMI | ||
1.0 AMP. Glass Passivated Super Fast Rectifiers 文件：62.78 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | TSC 臺灣半導體 | TSC |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產廠家：
- 制作材料：
Ge-PNP
- 性質：
高頻放大 （AH）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
25V
- 最大電流允許值：
0.01A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
3AG95C,
- 最大耗散功率：
0.12W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
C-36
- vtest：
25
- htest：
999900
- atest：
0.01
- wtest：
0.12
技術參數(shù)
- Pb-free：
Pb
- Status：
Active
- Polarity：
NPN
- Type：
Low VCE(sat)
- VCE(sat) Max (V)：
0.165
- IC Cont. (A)：
2
- VCEO Min (V)：
150
- VCBO (V)：
180
- VEBO (V)：
7
- VBE(sat) (V)：
0.85
- hFE Min：
200
- hFE Max：
560
- PTM Max (W)：
1
- Package Type：
DPAK-3/TO-252-3
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
三年內 |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 | ||||
SANYO |
18+ |
TO-252 |
41200 |
原裝正品,現(xiàn)貨特價 |
詢價 | ||
SANYO |
25+ |
TO-252 |
92400 |
現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
TAIWAN |
25+ |
TS-1 |
16750 |
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件! |
詢價 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
25+ |
TO-252 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
SNAYO |
2022+ |
SOT-252 |
12888 |
原廠代理 終端免費提供樣品 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-252 |
11200 |
原廠授權一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO |
詢價 | ||
ON/安森美 |
10+ |
SMD |
3020 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 |
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