Si NPN Epitaxial Planar

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電流傳感器芯片

SC828/SC829全集成電流傳感器系列是上海興感半導體開發(fā)的寬隔離間距，大電流能力的集成式電流傳感器，這顆產品采用寬體SOP-16封裝形式，在10.3mm*10.4mm*2.3mm的封裝體上實現(xiàn)了低至0.8mΩ的電流導線阻抗，使其可應用于要求在測量高達80A的功率系統(tǒng)。\n\n這顆產品是高精度開環(huán)電流傳感器，采用了自有專利的數字溫度補償技術、差分傳感技術，隔離封裝技術，使其能在復雜的工業(yè)環(huán)境下保障精確的傳感采集精度和非常穩(wěn)定的性能指標。\n\nSC828/9具有600 khz高帶寬特性，其低至680 nS延遲時間非常適合電源系統(tǒng)，逆變器等要求快速切換的功率系統(tǒng)中應用。\n\n興感半導體致力 ? 隔離式測量，隔離耐壓高達4800Vrms @50HZ,1分鐘\n? 高達600KHz的信號檢測帶寬\n? 13kA 8/20us的浪涌電流承受能力\n? 具有極低的噪聲\n? 內置固定的參考基準，不受電源電壓波動影響\n? 低至800ns的響應時間\n? 高精度: 常溫工作溫區(qū):? 強驅動能力，支持輸出端口接低至2kΩ的負載\n? 自主知識產權;

Senksemi

興感半導體

High Efficiency Voltage Inverters

DESCRIPTION The SP828/829 devices are CMOS Charge Pump Voltage Inverters that can be implemented in designs requiring a negative voltage from a +5V supply. The SP828/829 devices are ideal for both battery-powered and board level voltage conversion applications with a typical operating current o

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SIPEX

High Efficiency Voltage Inverters

DESCRIPTION The SP828/829 devices are CMOS Charge Pump Voltage Inverters that can be implemented in designs requiring a negative voltage from a +5V supply. The SP828/829 devices are ideal for both battery-powered and board level voltage conversion applications with a typical operating current o

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SIPEX

P-Channel Enhancement-Mode MOSFET

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AUK