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SBE002-TL-E	文件：726.7 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Diode Features ? Low forward voltage (VF max=0.55V) ? Fast reverse recovery time (trr max=10ns) ? Low switching noise ? Low leakage current and high reliability due to highly reliable planar structure ? Ultrasmall package, permitting SBE002-applied sets to be compact and slim (mounting height 0.9mm 文件：726.7 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
SBE002-TL-W	文件：726.7 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Diode Features ? Low forward voltage (VF max=0.55V) ? Fast reverse recovery time (trr max=10ns) ? Low switching noise ? Low leakage current and high reliability due to highly reliable planar structure ? Ultrasmall package, permitting SBE002-applied sets to be compact and slim (mounting height 0.9mm 文件：726.7 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
SCG002	文件：177.82 Kbytes Page：4 Pages	InGaP HBT Gain Block 文件：177.82 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	WJCI	WJCI
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深圳市威爾健半導體有限公司	SBE002-TL-E	SANYO/三洋	23+	SOT23-6	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
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更多SBE002-TL-E供應商更新時間2026-1-18 22:59:00