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首頁 >S9012>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
S9012	文件：1.63318 Mbytes Page：4 Pages	PNP General Purpose Transistors PNP General Purpose Transistors P/b Lead(Pb)-Free 文件：1.63318 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	WEITRON	WEITRON
S9012	文件：184.8 Kbytes Page：4 Pages	絲印：2T1；Package：SOT-23；PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● High Collector Current.(IC= -500mA） ● Complementary To S9013. ● Excellent HFE Linearity. APPLICATIONS ● High Collector Current. 文件：184.8 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	BILIN 銀河微電	BILIN
S9012	文件：175.39 Kbytes Page：2 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Complementary to S9013 ● Excellent hFE linearity 文件：175.39 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	DAYA 大亞電器	DAYA
S9012	文件：940.58 Kbytes Page：2 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSOSTOR (PNP) FEATURE Power dissipation PCM : 0.625 W Tamb=25°C Collector current ICM: -0.5 A Collector-basevoltage V(BR)CBO: -40 V Operating and storage junction temperature range Tj,Tstg: -55°C to+150°C 文件：940.58 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
S9012	文件：774.03 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ? Complementary to S9013 ? Excellent hFE linearity 文件：774.03 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	HTSEMI 金譽半導(dǎo)體	HTSEMI
S9012	文件：843.67 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● High Collector Current ● Complementary To S9013 ● Excellent hFE Linearity 文件：843.67 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	JIANGSU 長電科技	JIANGSU
S9012	文件：829.27 Kbytes Page：4 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/2t1/marking.html">2T1；Package：SOT-23；TRANSISTOR (PNP) FEATURES High Collector Current Complementary To S9013 Excellent hFE Linearity 文件：829.27 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SY 順燁電子	SY
S9012	文件：51.63 Kbytes Page：3 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The S9012 is designed for use in 1W output amplifier of portable radiosin class B push-pull operation. Features ? High total power dissipation. (PT:625mW) ? High collector current. (IC:500mA) ? Complementary to S9013 ? Excellent linearity. 文件：51.63 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	TGS	TGS
S9012	文件：1.51148 Mbytes Page：3 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/2t1/marking.html">2T1；Package：SOT-23；PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● High Collector Current.(IC= -500mA） ● Complementary To S9013. ● Excellent HFE Linearity. APPLICATIONS ● High Collector Current. 文件：1.51148 Mbytes 頁數(shù)：3 Pages	LUGUANG 魯光電子	LUGUANG
S9012	文件：327.89 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. The transistor is subdivided into three groups, G, H and I, according to its DC current gain. As complementary type the NPN transistor 9013 文件：327.89 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	DGNJDZ 南晶電子	DGNJDZ

晶體管資料

型號：
S9012
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-N/P
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
40V
最大電流允許值：
0.1A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
最大耗散功率：
0.5W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
A-20
vtest：
40
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.5

技術(shù)參數(shù)

Polarity：
PNP
PC_Max (mW)：
300
IC_Max (mA)：
500
V(BR)CBO_Min (V)：
40
V(BR)CEO_Min (V)：
25
V(BR)EBO (V)：
5
hFE_Min：
120
hFE_Max：
400
@ VCE (V)：
1
VCE(sat)_Max (V)：
0.6
@ IC (mA)：
500
@ IB (mA)：
50
fT_Min (MHz)：
150

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	S9012	CJ/長電	2021+	SOT-23	9000	原裝現(xiàn)貨,隨時歡迎詢價	詢價

更多S9012供應(yīng)商更新時間2026-1-17 16:00:00

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