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S40D40CE	文件：180.44 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Rectifiers SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 40 AMPERES 30-60 VOLTS Using the Schottky Barrier principle with a Molybdenum barrier metal. These state-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectificati 文件：180.44 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	MOSPEC 統(tǒng)懋	MOSPEC
B40D40	文件：340.58 Kbytes Page：6 Pages	POWER MODULES DIODE Description The B40J../B40C../B40D.. series of B-modules use power diodes in half0bridge configuration. The semiconductors are electrically isolated from the metal base allowing common heatsink and compact assemblies to be built. They can be interconnected to form single or three phase bridges. 文件：340.58 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	IRF	IRF
CDMT40D40	文件：535.52 Kbytes Page：4 Pages	Metal Hybrid Inductor 文件：535.52 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SUMIDA 勝美達(dá)	SUMIDA
S40D40	文件：258.39 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(40A,30-60V) Using the SchottkyBarrier principle with a Molybdenum barrier metal. These state-of-the-art geometryfeatures epitaxial construction with oxide passivation and metal overlaycontact. Ideallysuited for lowvoltage, high frequencyrectification, or as free wheeling and polarityprotection diodes. 文件：258.39 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	MOSPEC 統(tǒng)懋	MOSPEC

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更多S40D40CE供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 14:02:00